等離子清洗

等離子清洗技術（shù）起源於20世紀初,推動了（le）半導體和光電產業的迅速（sù）發展,現已廣泛應用於（yú）精（jīng）密機械、汽車製（zhì）造、航空航天以及汙（wū）染防治等眾多高科技領域。等離子清（qīng）洗技術的關鍵是（shì）低溫等離子（zǐ）體的應（yīng）用,它主要依賴於高溫、高頻（pín）、高能等外界條件（jiàn）產生,是（shì）一種電中性、高能量、全部或部分離子化的氣態物質。低溫等離（lí）子（zǐ）體的能（néng）量約為幾十電子伏特,其中所包含的（de）離子、電子、自由基等活性粒（lì）子以及紫外線等輻射線很容易與（yǔ）固體表麵的（de）汙染物分子發生反應而使（shǐ）其脫離,進而可起到清洗的作用。同時由於低溫等離子體的能（néng）量遠低於高能射線,因此此技術隻涉及材料表麵,對材料基體性（xìng）能（néng）不產生影響。

等離子清洗是（shì）一種幹式工（gōng）藝,由於采用電能催化（huà）反應,可（kě）以提供一個低溫環境,同時排除（chú）了濕（shī）式化學清洗所產生的危險和廢液（yè）,安全、可靠、環保。簡（jiǎn）而言之,等離子清洗（xǐ）技術結合（hé）了等離子體（tǐ）物理、等離子體化學和（hé）氣固兩相界麵反應,可以有效清除殘留在材料表麵的有機汙染（rǎn）物,並保證材料的表麵及本體特性不受影（yǐng）響,目前被考（kǎo）慮為傳統（tǒng）濕法清洗的主要替代技術。

更（gèng）重要的是（shì）,等離子體清洗技術不分處理對（duì）象的基材類型,對半導體、金屬和大多數高分子材料（liào）均有很好的處理效果,並且（qiě）能夠實現整體、局部以及（jí）複雜結構的清洗。此工藝容易實現自動（dòng）化與數（shù）字化流（liú）程（chéng）,可裝配高精度的控製裝置,精準控（kòng）製時間,具備記憶功能等。正是由於等（děng）離子體清洗工藝擁有操作簡（jiǎn）單、精密（mì）可控等顯著優勢,目前已在電子電氣、材料表麵改性與活化（huà）等多個行業普遍應用。同時可以預見,這（zhè）種優越的技術也將被複合材料領（lǐng）域所（suǒ）認可並廣泛采用。

等離子清洗技術利用了等離（lí）子體在低（dī）溫條件下能夠產生非平衡電子、反應離子和自由基的特性。等離子體中的高能活性基（jī）團轟擊（jī）表麵，會造成（chéng）濺射、熱蒸發或光致降解（jiě）。等離子體（tǐ）特有的清洗過程主要是基於等（děng）離子體濺射和刻蝕所帶來的物理和化學（xué）變化。

物理濺射的過程中，等離子體中高能量離（lí）子脈衝式的表麵轟擊會（huì）導致表麵原子（zǐ）發生位移，在某些（xiē）情況下，還會造成次表層上原子的位移，因此物理濺射沒有選擇性。在化學蝕刻的過程中，等離子體中的活（huó）性基團和表（biǎo）麵原（yuán）子、分子發生反應，產（chǎn）生的揮發性物質可以通（tōng）過泵抽（chōu）走。在（zài）化學蝕刻過程中，通過選擇不同的工（gōng）藝（yì）參數，可以對不同材料（liào）實現高選擇（zé）性的化學反應刻（kè）蝕，然而這種方（fāng）法對（duì）同一種材料的（de）刻蝕是各向同性的。在離子增強刻蝕中，高能離子撞擊表（biǎo）麵時，會在表麵形成缺（quē）陷、位錯（cuò）或懸浮鍵，這些缺陷提高了表麵的化（huà）學反（fǎn）應刻蝕速率，使這種刻蝕過程同時具備可選擇性和（hé）方向性（xìng）。

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